| Eelised | Puudused | Tehnoloogia küpsus | Kulutõhususe | Turu nõudlus | |
|
Passiveeritud emitter ja tagumine element |
PERC-elemendid on turul kõige levinum tehnoloogia, millel on kõrge industrialiseerimise efektiivsus ja madalad tootmiskulud. See parandab valguse neeldumist ja elektronide kogumise efektiivsust raku tagaküljel, lisades raku tagaküljele ränioksiidkile. | PERC rakkude teoreetiline efektiivsuse piir on suhteliselt madal (24, 5%) ja probleem on valguse põhjustatud lagunemises, mis on eriti ilmne multikristalliliste PERC rakkude puhul. | PERC-tehnoloogia on juba väga küps, kuid p-tüüpi tehnoloogialt n-tüüpi tehnoloogiale ülemineku ja iteratsiooniga seisab PERC-tehnoloogia silmitsi turuosa kahanemisega. | PERC akudel on kulueelised ja nende kulud on lähedased tavaliste akude omadele. Kuna tõhususe parandamiseks on piiratud ruumi, võib neil aga tulevikus tekkida varade väärtuse languse ja elimineerimise oht. | PERC-elemendid olid kunagi turul peamine tarnejõud, kuid tehnoloogia iteratsiooniga asendatakse need järk-järgult uute N-tüüpi elementide tehnoloogiatega, nagu TOPCon. |
|
Tunneloksiidi passiveeritud kontakt |
TOPCon-tehnoloogia lisab raku tagaküljele tunneloksiidikihi, et suurendada elektronide kogumise efektiivsust tagaküljel, mille tulemuseks on suurem avatud vooluahela pinge ja täitmistegur, samuti väiksem rekombinatsioonivool. Teoreetiline efektiivsus on koguni 28,7% ja see ühildub olemasolevate kristalse ränielemendi tootmisliinidega. | TOPCon akude tootmisprotsess on suhteliselt keeruline, mis suurendab etappide arvu. Lisaks ei ole praegused tehnilised trassid ühtsed, mille tulemuseks on saagikuse miinus. | TOPCon tehnoloogia areneb kiiresti ja paljud ettevõtted plaanivad seda aktiivselt. Sellest peaks lähiaastatel saama turul peavoolutehnoloogia. | TOPConi elementide maksumus on suhteliselt kõrge, kuid nende tõhususe eeliste tõttu on turul aktsepteeritavus kasvamas ning kulud vähenevad eeldatavasti võimsuse suurendamise ja protsesside optimeerimisega veelgi. | TOPCon akud on tänu oma kõrgele muundamise efektiivsusele ja heale kõrge temperatuuri jõudlusele kiiresti turgu vallutamas ning nende turuosa peaks 2024. aastal veelgi kasvama 70%-ni. |
|
Heteroühendus sisemise õhukese kihiga |
HJT tehnoloogial on sümmeetriline bifatsiaalne rakustruktuur, kõrge efektiivsus ja vähesed valgussummutusomadused. Masstootmise efektiivsus on üldiselt üle 24% ja eeldatavasti tõuseb see veelgi üle 30%. Sellel puuduvad LID- ja PID-probleemid, madal temperatuurikoefitsient, kõrge kahekülgsus ja hea nõrk valgusefekt. | HJT akud nõuavad suuri investeeringuid seadmetesse ja kõrgeid hõbepasta kulusid, kuid protsessi küpsedes ja lokaliseerumisel kulud eeldatavasti vähenevad. | HJT tehnoloogial on kõrge teoreetilise efektiivsuse piir, kuid selle industrialiseerimisprotsess on endiselt kiirenev ja turuliidriks pole see veel tõusnud. | HJT akud nõuavad suuri investeeringuid seadmetesse ja kõrgeid hõbepasta kulusid, kuid kulud peaksid tehnoloogia arenedes ja lokaliseerumisel langema. | HJT elementidel on fotogalvaanilise turul paljutõotav tulevik tänu nende eelistele, nagu kõrge efektiivsus ja madal temperatuuritegur, kuid nende praegune turuosa on suhteliselt väike. |
|
Interdigitated Tagasi Kontakt |
IBC-tehnoloogia välistab valguse neeldumise ja blokeerimise eesmise elektroodi poolt, konstrueerides kõik elektroodide kontaktid aku tagaküljel, parandades nii aku fotoelektrilise muundamise efektiivsust. Sellel on suurem aku efektiivsus ja parem esteetiline disain. | IBC aku protsess on keerulisem, raskem ja kallim, seega on seda lühiajaliselt raske masstootmine. Sellel on aga potentsiaali superpositsiooniprotsessis, näiteks HJT-ga kombineerimisel HBC aku moodustamiseks, mis võib tõhusust veelgi parandada. | IBC-tehnoloogia on kõrge efektiivsuse potentsiaaliga N-tüüpi aku tüüp, kuid seda on praegu raske masstootmine ja see nõuab täiendavaid tehnoloogilisi läbimurdeid ja kulude vähendamist. | IBC akude protsessi keerukus toob kaasa nende kõrge hinna, kuid pikemas perspektiivis on neil superpositsiooniprotsessi potentsiaal ja neid saab kombineerida selliste tehnoloogiatega nagu HJT, et moodustada tõhusamaid akusid. | IBC akusid kasutatakse kõrge kasuteguri ja esteetika tõttu sageli kõrgetasemelistel turgudel, kuid praegu ei ole palju ettevõtteid, kes neisse investeerivad, peamiselt seetõttu, et protsess on keeruline ja maksumus on kõrge. |
Igal tehnoloogial on oma ainulaadsed rakendusstsenaariumid ja olulised eelised. Tehnoloogiatee valik mõjutab põhjalikult turunõudluse rahuldamise astet, kulutõhususe kaalutlusi ja tehnoloogia küpsuse kaalutlusi. Kuigi praeguses fotogalvaanilises valdkonnas on PERC-elementidel oma varasemate eeliste tõttu endiselt suur turuosa, asendatakse need tehnoloogia kiirete muutustega järk-järgult esilekerkiva N-tüüpi elementide tehnoloogiaga, mis tähistab fotogalvaanilise tehnoloogia uut iteratsiooni. Nende hulgas vallutavad TOPCon akud turgu enneolematu kiirusega tänu nende kahekordsele efektiivsusele ja hinnale, mis näitavad tugevat konkurentsivõimet. Kuigi HJT- ja IBC-akudel on muljetavaldav tõhususe potentsiaal, on nende turuosa praeguse tehnoloogilise küpsuse ja kulutegurite tõttu siiski piiratud ning nende mõju on vaja kiiresti edasiste tehnoloogiliste läbimurrete ja kulude kontrolli kaudu laiendada.
Kuna tehnoloogilised uuendused süvenevad ja turunõudlus kasvab, on meil põhjust arvata, et TOPConi elemendid saavutavad järgmiste aastate jooksul järk-järgult tänu oma laiaulatuslikele eelistele oma staatuse fotogalvaanilise elektrituru peavoolu tehnoloogiamarsruudina. Samal ajal peaksime pöörama suurt tähelepanu ka tipptehnoloogiate, nagu HJT ja IBC, arendamisele. Need võivad tuua fotogalvaanilisele tööstusele rohkem üllatusi ja muudatusi tehnoloogilise küpsuse ja kulude optimeerimise kahesuunalise jõuga.