Amorfse räni päikesepatarei valmistamise meetod

Amorfse räni päikesepatareide jaoks on palju meetodeid, sealhulgas plasmaga täiustatud keemiline aurustamine, reaktiivne pihustamine, hõõglahendus, elektronkiire aurustamine ja silaani termiline lagundamine.
1. Reaktiivne pihustusmeetod: kõigepealt kasutage infrapunalaserit TCO juhtiva klaasist aluspinna laserjoonimiseks; pärast laserkirjutamist teostage ultrahelipuhastust; pärast substraadi puhastamist asetage see spetsiaalsesse sadestusseadmesse ja lükake eelsoojendamiseks ahju; eelsoojendus Sadestamisjärgne seade surutakse PECVD-sadestamise vaakumkambrisse ja amorfne räni sadestatakse PECVD-sadestusprotsessi abil; seejärel kasutatakse rohelist laserit, et teostada sadestatud amorfsele ränisubstraadile teine ​​laserkriipsutamine ja pärast kriipsutamist puhastatakse; seejärel kaetakse puhastatud substraat metallist tagaelektroodi komposiitkilega, kasutades PVD-tehnoloogiat ja tsinkoksiidi kiht kui üks metallist tagaelektroodi komposiitkiledest, sadestatakse amorfse ränikihi pinnale ja muud metallist tagaelektroodide kihid. tsinkoksiidi kihil; seejärel kasutage sadestunud metallist tagaelektroodiga aluspinnale kolmandat laserkriipsutamist rohelist laserit ja puhastage see pärast kriimustamist. Seni on akukiibi struktuur välja kujunenud; peale seda lamineeritakse ja pakendatakse akukiip ning paigaldatakse harukarp ja juhtmejuhtmed. Lõpuks viige läbi komponentide jõudluse testimine ja pakkige kvalifitseeritud tooted kastidesse. Olenevalt toodetavate fotogalvaaniliste moodulite suurusest ja spetsifikatsioonidest kestab tootmistsükkel tavaliselt kolm kuni neli tundi.
2. Plasmaga täiustatud keemilise aurustamise-sadestamise meetod: masstootmise saavutamiseks kasutatakse tootmises pideva programmi moodustamiseks sadestuskambreid. Samal ajal on amorfsest ränist päikesepatarei väga õhuke ja seda saab teha virnastatud tüüpi või toota integraallülituse meetodil. Tasapinnal saab sobiva maskeerimisprotsessiga kõrgema pinge saamiseks teha korraga mitu järjestikust elementi.
3. Hõõglahendusmeetod: kvartsist anum evakueeritakse, täidetakse vesiniku või argooniga lahjendatud silaaniga, kuumutatakse raadiosagedusliku toiteallikaga silaani ioniseerimiseks plasma moodustamiseks ja amorfne räni kile sadestatakse kuumutatud põhimikule.