Tootekirjeldus
SiC epi vahvel on kvaliteetne ja täiustatud pooljuhttoode turul. See on ränikarbiidi epitaksiaalplaadi tüüp, mis tagab suurepärase jõudluse erinevates elektroonilistes ja optilistes rakendustes. SiC epi vahvel on valmistatud täiustatud kristallide kasvatamise tehnikate abil, mille tulemuseks on kõrgekvaliteediline materjal, millel on suurepärased omadused.
SiC epi vahvli üks olulisi eeliseid on selle kõrge läbilöögipinge, mistõttu on see ideaalne valik suure võimsusega ja kõrge temperatuuriga rakenduste jaoks. Samuti on see väga vastupidav termilisele ja mehaanilisele pingele, mis tagab stabiilsuse ja vastupidavuse isegi karmides keskkondades. Selle suurepärased soojusjuhtivusomadused võimaldavad tõhusat soojuse hajumist, vähendades elektroonikakomponentide kuumakahjustuse ohtu.
SiC epi vahvlit kasutatakse laialdaselt erinevates elektroonilistes ja optoelektroonilistes seadmetes, sealhulgas jõuelektroonikas, valgustuses ja andurites. See tagab suurepärase jõudluse ja töökindluse isegi nõudlikes rakendustes, mis nõuavad kõrget temperatuuri ja suurt võimsust. Lisaks on see keskkonnasõbralik ja jätkusuutlik alternatiiv traditsioonilistele ränipõhistele materjalidele, mistõttu on see ideaalne valik keskkonnateadlikele tarbijatele.
|
4H N-TYPE SiC 100 mm, 350μm VAHLI SPETSIFIKATSIOON |
|||
|
Artikli number |
W4H100N-4-PO (või CO)-350 |
||
|
Kirjeldus |
4H SiC substraat |
||
|
Polütüüp |
4H |
||
|
Läbimõõt |
(100+0.0-0.5) mm |
||
|
Paksus |
(350±25) μm (tehniline hinne ±50 μm) |
||
|
Kandja tüüp |
n-tüüpi |
||
|
Dopant |
Lämmastik |
||
|
Takistus (RT) |
0.012-0.025Ω▪cm (tehniline hinne<0.025Ω▪cm) |
||
|
Vahvlite orientatsioon |
(4+0.5) kraadi |
||
|
Inseneri hinne |
Tootmisaste |
Tootmisaste |
|
|
2.1 |
2.2 |
2.3 |
|
|
Mikrotoru tihedus |
Vähem kui 30 cm-² või sellega võrdne |
Vähem kui 10 cm-² või sellega võrdne |
Vähem kui 1 cm-² või sellega võrdne |
|
Mikrotoru vaba ala |
Määratlemata |
96% või suurem |
96% või suurem |
|
Orienteeritud korter (OF) |
|
||
|
Orienteerumine |
Paralleelne {1-100} ±5 kraadi |
||
|
Orientatsioon tasane pikkus |
(32,5±2.0) mm |
||
|
ldentifikatsioon lame (IF) |
|
||
|
Orienteerumine |
Si-pind: 90 kraadi cw, orientatsioonist tasane ±5 kraadi |
||
|
ldentification lame pikkus |
(18.0+2.0) mm
|
||
|
Pind |
Valik 1: Si-face standardne poleerimine Epi-valmis C-pinna optiline poleerimine |
||
|
Valik 2: Si-face CMP Epi-valmis, C-face optiline poleerimine |
|||
|
pakett |
Mitme vahvli (25) saatekarp |
||
|
(Soovi korral üks vahvlipakk) |
|||
|
6H N-TÜÜP SiC, 2" VAHLI SPETSIFIKATSIOON |
|
|
Artikli number |
W6H51N-0-PM-250-S |
|
Kirjeldus |
Tootmisklassi 6H SiC substraat |
|
Polütüüp |
6H |
|
Läbimõõt |
(50,8±38) mm |
|
Paksus |
(250±25) um |
|
Kandja tüüp |
n-tüüpi |
|
Dopant |
Lämmastik |
|
Takistus (RT) |
0.06-0.10Ω▪cm |
|
Vahvlite orientatsioon |
(0+0.5) kraadi |
|
Mikrotoru tihedus |
Vähem kui 100 cm-² või sellega võrdne |
|
Orientatsioon tasane orientatsioon |
Paralleelne {1-100} ±5 kraadi |
|
Orientatsioon tasane pikkus |
(15,88±1,65) mm |
|
Identifitseerimine tasane orientatsioon |
Si-face: 90 kraadi cw. kulmude orientatsioon tasane ±5 kraadi |
|
ldentification lame pikkus |
(8+1,65) mm |
|
Pind |
Si-face standardlakk Epi-valmis |
|
C-nägu matt |
|
|
pakett |
Pakkige üks vahvlipakk või mitme vahvliga saatekarp |
Toote pilt
Miks valida meid
Meie tooted hangitakse eranditult maailma viielt parimalt tootjalt ja juhtivatelt kodumaistelt tehastelt. Toetavad kõrgelt kvalifitseeritud kodumaised ja rahvusvahelised tehnilised meeskonnad ning ranged kvaliteedikontrolli meetmed.
Meie eesmärk on pakkuda klientidele igakülgset individuaalset tuge, tagades sujuvad suhtluskanalid, mis on professionaalsed, õigeaegsed ja tõhusad. Pakume madalat minimaalset tellimiskogust ja garanteerime kiire kohaletoimetamise 24 tunni jooksul.
Tehasenäitus
Meie suur laovaru koosneb 1000+ tootest, mis tagab, et kliendid saavad esitada tellimusi kõigest ühe tüki eest. Meie omanduses olevad seadmed kuubikuteks ja taustalihvimiseks ning täielik koostöö ülemaailmses tööstusahelas võimaldavad meil kiiret tarnimist, et tagada klientide täielik rahulolu ja mugavus.
Meie sertifikaat
Meie ettevõte tunneb uhkust erinevate väljateenitud sertifikaatide üle, sealhulgas meie patendisertifikaat, ISO9001 sertifikaat ja riikliku kõrgtehnoloogilise ettevõtte sertifikaat. Need sertifikaadid näitavad meie pühendumust innovatsioonile, kvaliteedijuhtimisele ja tipptasemele.
Kuum tags: sic epitaxial wafer, Hiina sic epitaxial wafer tootjad, tarnijad, tehas
